技术编号：12827274
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及集成芯片及其制造方法。背景技术电迁移是由碰撞引起的导电材料内原子的转移，该碰撞在传导电子和导电材料的原子之间传递动量。现代集成芯片通常经历金属互连层中的电迁移。例如，随着电子将电流传送至半导体器件，电子与金属互连层的金属原子发生碰撞。该碰撞会引起金属互连层内的金属原子的移动(即，经受电迁移)，从而导致会致使集成芯片失效的金属互连层内的空隙。发明内容根据本发明的一些实施例，一种执行电迁移签核的方法，包括：确定多个实际温度，所述多个实际温度分别对...
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