技术编号:12827279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种等离子体刻蚀光刻胶装置及其内部部件的设计。背景技术在半导体晶片制造过程中,光刻胶用于将掩膜版上的图形转移到晶片上,以实现按照掩膜版上的设计刻蚀基片的目的,当基片刻蚀制程结束后,通常需要将光刻胶从晶片表面剥除,以便进行下一制程。现有技术中,用于祛除光刻胶的等离子体处理装置通常包括一反应腔,以及设置在反应腔上方的反应气体源,反应气体源中的反应气体主要包括氧气,通过将氧气解离为等离子体,利用等离子体中的氧自由基可以有效祛除基片表面的光刻胶。为了保证氧气解离的等离子体及未解离的反应气体能均...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。