技术编号：12827430
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。低噪声MOS晶体管及相应电路相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月30日提交的法国专利申请No.1563454的优先权，其内容引入这里作为参考。技术领域本发明的各种实施例涉及集成电路，更尤其涉及特别是在低频下的绝缘栅(“金属氧化物半导体”：MOS)低噪声晶体管，特别是在绝缘体上硅(或SOI)型衬底上和该衬底中形成的那些，并且特别是FDSOI(全耗尽绝缘体上硅)型衬底。背景技术通常使用浅槽隔离限定晶体管的有源区域，本领域技术人员一般用首字母缩写词STI(对于“浅槽隔离”)来表示浅槽隔离。在...
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