技术编号:12827443
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种高电子迁移率晶体管和一种存储器芯片。背景技术在相关技术中,随着半导体制造技术的发展,具有低功耗和高速高通特性的功率器件成为主流研究方向。GaN(氮化镓)是第三代宽禁带半导体材料,具有大禁带宽度(3.4eV)、高电子饱和速率(2e7cm/s)、高击穿电场(1e10--3e10V/cm)、较高的热导率、耐腐蚀和抗辐射性能,并且在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下具有较强的优势,因而被认为是研究短波光电子器件和高压高频率大功率器件的最佳材料。具体地,...
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