技术编号:12827448
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作领域,特别涉及一种埋藏沟道晶体管及其形成方法。背景技术金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管是半导体制造中的最基本器件,其广泛适用于各种集成电路中,根据主要载流子以及制造时的掺杂类型不同,分为NMOS和PMOS晶体管。现有技术提供了一种MOS晶体管的制作方法。包括:提供半导体基底,在所述半导体基底形成隔离结构,所述隔离结构之间的半导体基底为有源区,在所述有源区内形成阱区(未示出);通过第一离子注入在阱区表面掺杂杂质离子,以调节后续形成的晶体管的阈值电压;在所述隔离结构之间的半导...
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