技术编号：12828447
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本文所公开的主题涉及电压转换器系统。更具体来说，本公开一般涉及使用电压转换器系统中的不同类型的开关来降低损耗并且改进效率。背景技术碳化硅(SiC)是一种半导体，其越来越多地用于功率电子装置、例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中。与没有在相应装置中采用碳化硅的其他功率电子装置相比，SiC功率电子装置一般在较高切换速率(例如千赫兹(kHz)范围)具有较低切换损耗，工作在较高结温度，并且工作在较高电压。因此，近年来，SiC功率电子装置鉴于其切换性能和高温操作能力而获得关注。但是，由于制造...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。