技术编号:12837945
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子技术领域,具体涉及一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构。背景技术绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor—IGBT)结合了MOSFET和BJT两者的优点,具有开关速度快、电压型驱动、通态压降低、电流容量大等特点,被广泛应用于工业、交通、电力、军事、航空以及电子信息等领域。目前已有的大功率IGBT器件都需要通过多个芯片并联来实现器件的大电流等级。以压接型IGBT为例,压接型IGBT结合了GTO和IGBT两者的优点,将多个芯片通过压接的形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。