技术编号:12838040
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。背景技术随着半导体制程技术的发展,在存储装置方面已开发出存取速度较快的快闪存储器(flashmemory)。快闪存储器具有可多次进行信息的存入、读取和擦除等动作,且存入的信息在断电后也不会消失的特性,因此,快闪存储器已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种非易失性存储器。而NAND(与非门)快闪存储器由于具有大存储容量和相对高的性能,广泛用于读/写要求较高的领域。近来,NAND快闪存储器芯片的容量已经达到2GB,并且尺寸...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。