技术编号:12838128
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明于涉及一种磁性随存储存器(magnetoresistiverandom-accessmemory,以下称MRAM),特别是涉及一种具热稳定性(thermalstability)的自旋轨道扭力式磁性随存储存器(以下称SOT-MRAM)。背景技术基于穿隧磁阻(tunnelingmagnetoresistance;简称TMR)效应的发现,使得由铁磁性(ferromagnetics)自由层(freelayer)、厚度极薄的绝缘阻障层(barrierlayer)与铁磁性固定层(pinnedlayer...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。