技术编号：12839279
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，涉及一种可用于大量制备MAPbX3(X＝Cl，Br，I)钙钛矿纳米簇的合成方法。背景技术宏观体相尺度的半导体在材料尺寸逐渐减小至与材料的电子波函数相关的情况时，显著的电子波动性变化出现，半导体的电子结构发生改变，由原来连续的能带结构，变为分裂的能级状态，随尺寸变化的能级结构，相应的将影响到材料的光学性质，这一现象称作量子尺寸效应。比较常见的半导体纳米粒子即量子点主要有II-VI，III-V以及IV-VI族。这些种类的量子点都十分遵守量子尺寸效应，其性质随尺寸...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。