技术编号:12843724
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管。背景技术根据摩尔定律,“集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。”大抵而言,若在相同面积的晶圆下生产同样规格的IC,随着制程技术的进步,每隔一年半,IC产出量就可增加一倍,换算为成本,即每隔一年半成本可降低五成,平均每年成本可降低三成多。就摩尔定律延伸,IC技术每隔一年半推进一个世代。国际上半导体厂商基本都遵循着该项定律。但是,国际上最大的芯片制造厂商英特尔日前宣布将推迟旗下基于...
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