技术编号:12855334
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种光纤氘处理系统,属于光纤生产设备领域。背景技术在光纤生产过程中,光纤预制棒经过拉丝、筛选、检测、氘处理、性能试验(含氢损试验)、入库。通过高温拉丝得到光纤存在着缺陷,这些缺陷的存在会导致光纤在氢损后附加损耗明显增加,使得氢损后在1383±3nm的衰减系数大于了1310nm规定的衰减系数,不符合低水峰光纤的标准。含有缺陷的光纤通过氘处理的方法可以防止因氢损而导致1383±3nm的衰减系数增大。将光纤放入一个密闭的容器内,充入一定浓度的氘氮混合气体,加温加压保持一定的时间,让光纤充分接...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。