技术编号:12858420
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于在基底上沉积膜的DC磁控溅射设备。本发明还涉及在基底上沉积膜的相关方法。背景技术现今,许多MEMS(微机电系统)装置利用压电材料,诸如氮化铝(AlN)以及二元金属氮化物,诸如氮化铝钪(AlScN)作为装置控制中的组件。在许多装置中,沉积的压电薄膜的应力装置对装置的性质和有效性具有直接的影响。诸如膜状物和悬臂(cantilever)的装置是所沉积的压电薄膜的应力状态极其重要的装置的实例。一些装置适用于具有适度压缩应力的膜,而其它装置适用于具有适度拉伸应力的膜。许多装置仅要求存在小...
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