技术编号:12862179
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种新型的VDMOS器件截止环结构,应用在集成电路或分立器件制造技术领域。背景技术VDMOS是垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管的简称,本发明所述的VDMOS是基于硅制造工艺。在芯片制造过程以及后期的芯片封装中,芯片表面的氧化物容易产生或者引入表面电荷(包括固定电荷及可动电荷),当其数量达到一定程度时,就有可能在硅表面感应出载流子,硅表面会发生积累、耗尽、反型三种情形之一。对于反型即会在有源区与划片槽之间形成表面导电沟道,严重影响器件的性能甚至造成芯片失效。而从实际的芯片制造...
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