技术编号:12864953
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体处理技术领域,具体地,涉及一种聚焦环和等离子体处理装置。背景技术等离子装置广泛地应用于集成电路(IC)或MEMS器件的制造工艺中。此系统的等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子,这些活性粒子和衬底相互作用使材料表面发生各种物理和化学反应,从而使材料表面性能获得变化。如图1所示为晶片在等离子腔室内进行刻蚀工艺的示意图。如图2所示,静电卡盘4(ESC)在等离子体处理晶片5的过程中,利用静电吸附的原理来对晶片5进行固定。下电极结构(即基台结构)中的聚焦环...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。