技术编号:12864966
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,具体地,本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。背景技术随着对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加,这些半导体存储装置的集成密度受到人们的更多关注,为了增加半导体存储装置的集成密度,现有技术中采用了许多不同的方法,例如通过减小存储单元尺寸和/或改变结构单元而在单一晶圆上形成更多个存储单元,对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说,已经尝试过通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,由于NAND闪存以页为单...
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