技术编号:12864974
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种沟槽型功率器件及其制作方法【技术领域】本发明涉及半导体芯片制作技术领域,特别地,涉及一种沟槽型功率器件及其制作方法。【背景技术】沟槽型垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)的漏源两极分别在器件的两侧,使电流在器件内部垂直流通,其可以有效增加电流密度,改善额定电流,并且单位面积的导通电阻也较小,是一种用途非常广泛的功率器件。超结金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的是利用复合缓冲层里面交替的N柱和P柱进行电荷补偿,使P区和N区相互耗尽,形成理想的平顶电场分布和均匀的电势分布,从而达到提高...
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