技术编号：12864979
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造领域，涉及一种深度稳定性检测方法。背景技术半导体制造技术领域中，在MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystems，微机电系统)和3D封装技术等领域，通常需要对硅等材料进行深通孔刻蚀。例如，在体硅刻蚀技术中，深硅通孔(Through-Silicon-Via，TSV)的深度达到几百微米、其深宽比甚至远大于10，通常采用深反应离子刻蚀方法来刻蚀体硅形成。另外，深沟槽结构也广泛应用于超级结器件(superjunction)、压敏传感器件(MEMS)、大功率器...
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