技术编号:12865239
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于单片电路封装技术及太赫兹器件技术领域,具体涉及一种太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构。背景技术太赫兹覆盖100GHz到10THz的广大频谱范围,波长范围为为3毫米~30微米,兼有微波和红外线的一些特点。其频谱范围较微波更宽,信息容量增大,适用于高速大容量通信;太赫兹辐射信噪比高,适合用于高质量成像;其辐射能小,能穿透陶瓷、布料、塑料、脂肪等材料,衰减小。太赫兹单片电路包括太赫兹放大器、倍频器、混频器、信号收发系统等,在通信、雷达、检测、射电天文学和医学方面具有重要的应用前景。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。