技术编号:12881118
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种电路结构,具体涉及一种自适应死区电路及包含该自适应死区电路的驱动电路。背景技术逆变电路中,半桥和全桥都有上下两个桥臂,由于器件延时的原因,需要调节死区时间,避免同一桥臂上的上下两个MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)同时导通的情况。已有的方法是加入RC固定死区电路,如图1所示,同一桥臂上,第一MOSFETQ1的源极S与第二MOSFETQ3的漏极D连接,第一MOSFETQ1的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。