技术编号:12881577
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属氧化物薄膜制备技术领域,具体地指一种氧化亚铜薄膜的制备方法。背景技术金属氧化物半导体材料因其特殊的物理化学性能引起了越来越多的关注。Cu2O是一种典型的金属缺位P型半导体材料,具有价廉、无毒、来源丰富等优点,在低成本光伏器件、电致变色、光催化领域都有潜在的应用。由于粉体材料在电极材料中难以应用,在光催化也存在回收困难而使薄膜材料具有较大的实用价值。目前人们可以通过各种方法来制备Cu2O薄膜,已报道的制备方法有水热法、溶胶凝胶法、化学沉积法、电化学沉积法、磁控溅射法、热氧化法、多元醇...
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