技术编号:12883529
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氧化锌薄膜的制备方法,特别是涉及一种电学器件用Al掺杂的氧化锌薄膜的制备方法。背景技术氧化锌(ZnO)是一种常见的氧化物,广泛地应用于塑料、硅酸盐制品、润滑油、油漆涂料、食品、电池等领域中。氧化锌是具有纤锌矿结构的半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,其透明度高,有优异的常温发光性能,在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管、压电传感器等产品中均有应用。氧化锌的光学、电学性质,与其化学组成、能带结构、氧空位数量及结晶程度有密切关系。氧化锌薄膜是...
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