技术编号：12888820
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体制作技术领域，尤其涉及一种平面型VDMOS器件的制作方法。背景技术单脉冲雪崩能量(简称EAS)是平面型VDMOS器件的一个非常重要的参数，其为单次雪崩状态下器件能够消耗的最大能量。在源极和漏极会产生较大电压尖峰的应用环境下，必须要考虑器件的单脉冲雪崩能量。由于平面型VDMOS器件本身在外延层-体区-源区之间存在一个寄生三极管，当器件关断时，源漏间的反向电流流经体区时，会产生压降。若产生的压降大于寄生三极管的开启电压，则此反向电流会因为寄生三极管的放大作用将寄生三极管导通，导...
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