技术编号：12888918
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏技术，尤指一种太阳能电池及其制作方法。背景技术传统硅晶太阳能电池主要包括前电极、背电极以及中间的P型和N型半导体等。为了减少硅晶对光的发射，在硅晶上增加了表面减反层。然而这种结构设计存在载流子分离速度慢和传递距离长的问题，导致光生电子空穴对易复合，直接影响了太阳能电池的转化效率；同时这种设计需要对硅晶进行P型和N型掺杂，增加了工艺难度，造成了资源的浪费；表面减反层的加入进一步增加了工艺和资源的浪费。发明内容为了解决上述技术问题，本发明至少一实施例提供了一种太阳能电池及制作方法，提高...
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