技术编号:12898425
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种低维氮化硅纳米材料的制备方法,兼具了氮化硅陶瓷本体和低维纳米材料的特性,高强度,高硬度,高介电常数,光敏性优异,可广泛用于纳米场发射器件、纳米光电子器件和纳米复合材料等领域。背景技术氮化硅是一种耐高温、抗氧化的工程陶瓷材料,具有高强度、高硬度、良好的抗热震性和抗机械冲击性。在晶体结构上,氮化硅有两种晶型,分别是α-Si3N4和β-Si3N4,α-Si3N4是低温型,β-Si3N4是高温型。随着纳米技术的发展,低维氮化硅纳米材料获得了越来越广泛的关注,由于其特殊的形貌和结构,具有比块...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。