技术编号:12900331
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种清洗剂、其制备方法和应用。背景技术在集成电路的双重镶嵌加工期间,光刻法用于将图案成像在装置晶片上。光刻技术包括涂覆、曝光和显影步骤。用正性或负性光刻胶物质涂覆晶片并随后用掩模覆盖,所述掩模在随后的工艺中限定待保持或去除的图案。将掩模适当放置后,掩模已将一束单色辐射,例如紫外(UV)光或深UV(DUV)光(≈250nm或193nm)导向通过掩模,以使暴露的光刻胶材料或多或少地可溶于选择的冲洗溶液中。然后去除或“显影”可溶性光刻胶材料,从而留下与掩模相同的图案。随后,将气相等离子刻蚀用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。