技术编号:12907451
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于制造沟道迁移率增强的半导体器件的湿法化学法本申请是申请日为2012年6月26日,申请号为201280041907.1,发明名称为“用于制造沟道迁移率增强的半导体器件的湿法化学法”的发明专利申请的分案申请。政府支持本发明根据美国军队授予的合同号W911NF-10-2-0038用政府基金进行。美国政府在本发明中享有权利。相关申请本申请要求2011年6月27日提交的美国临时专利申请号61/501,460的权益,其公开内容通过引用以其整体结合到本文中。本申请与______提交的题名为SEMICOND...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。