技术编号:12910734
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电器件领域,具体的说是一种点阵式磁光电器件及其制备方法。背景技术当前受限于摩尔定律,实现磁场调控下的半导体电子器件给传统半导体电子工业带来了新的希望,因为它自然地结合了电和磁性能,给未来的半导体器件在电场调控基础之上,还提供了一种新的磁场调控手段。到目前为止,各种半导体材料电输运性能都可以很好地通过磁场来调节,并由此制备出基于半导体的磁器件。但是,光电子器件,作为半导体电子产品的另一个重要分支,其性能随磁场调控还没有得到特别的重视和研究。发明内容本发明的目的在于克服上述不足,提供一种...
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