技术编号:12913847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域,特别是涉及一种等离子体设备的进气结构。背景技术等离子体增强化学的气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,简称PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,能够在基片上沉积出所期望的薄膜。反应离子刻蚀(ReactiveIonsEtch,简称RIE)是借助微波或射频等使含有刻蚀粒子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。