技术编号:12916755
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片技术领域,具体而言,涉及一种集成电路金属连线的制备方法。背景技术在晶体管的制备过程中,通常采用铝硅铜作为金属电极材料,而在干法刻蚀金属电极的过程中,如图1所示,一般需要聚焦环等塑料件固定硅衬底,而技术开发人员在利用AME8330干法刻蚀设备的过程中发现,由于AME8330设备内部圆片作业时分布为上、中和下三层,中层硅衬底和上层硅衬底的十一点钟区域由于被下层聚焦环的凸出结构遮挡,导致刻蚀气体流通不畅,从而在十一点钟区域造成刻蚀不充分,进而在如图1所示的黑点残留区遗留金属残渣,这...
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