技术编号:12916757
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域,尤其涉及一种沟槽型肖特基二极管的制备方法。背景技术功率二极管作为电路系统的关键部件,被广泛的应用在了高频逆变器、数码产品、发电机、电视机等民用产品上,也被应用在了卫星接收装置、导弹、飞机等军用设备上。目前,常用的功率二极管的种类有普通整流二极管、肖特基二极管等。其中,由于肖特基二极管具有较低的通态压降、较低的漏电流、反向恢复时间很小等特点,被广泛的应用到各类设备上;并且肖特基二极管中的沟槽型肖特基二极管具有低的正向导通压降、较高的管芯面积利用率,从而沟槽型肖特基二极管受...
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