技术编号:12916763
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,涉及一种双向瞬态电压抑制二极管及其制作方法。背景技术瞬态电压抑制二极管(TransientVoltageSuppressorDiode,简称TVS)是由硅通过扩散工艺形成的PN结半导体二极管器件。当TVS的两极收到反向瞬态高能量冲击时,它能以10s~12s量级的时间将其两极间的高阻抗变为低阻抗,以吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位在一个预定值,有效地保护了电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲和静电的损坏。TVS有单向型(Unidirectional)TVS和...
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