技术编号：12916802
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及封装领域，尤其涉及晶圆级带TSV通孔的薄晶圆清洗装置及清洗方法。背景技术随着穿透硅通孔TSV(ThroughSiliconVias)技术的发展，越来越多产品会用到高密度、高深宽比TSV通孔。TSV通孔的制作一般采用先刻蚀TSV盲孔，然后背面减薄晶圆露孔的方式实现。当背面减薄露孔时，研磨产生的硅渣会掉落到TSV通孔内，需要通过清洗工艺去除硅渣。现有的晶圆清洗技术包括：槽式超声清洗、单片式兆声清洗、单片式高压喷水清洗等。当TSV通孔径很小、深宽比很大时，TSV通孔内液体交换困难，常规的清洗...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。