技术编号:12920255
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及溅射镀膜技术领域,尤其涉及一种多基片溅射真空电子束蒸镀装置。背景技术现有技术中,为了在基片上沉积薄膜,需要将基片放置在真空室里,真空室中填充着处于低压的溅射气体,在基片附近设置靶材,靶材与负极或阴极电连接。在真空室中,还设置有正极或者阳极。向阴极施加-100伏特和-1000伏特之间的高负电压,引起了溅射气体的电离,在阴极靶材上方形成等离子体放电。带正电荷的溅射气体离子轰击带负电荷的阴极靶材,引起靶材的原子被溅射在空间中,朝向基片飞行,并粘附在基片上。现有技术中的这种溅射方式存在缺陷...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。