技术编号:12924660
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及全背电极太阳电池领域,特别是涉及全背电极太阳电池背面离子注入掩模版。背景技术离子注入作为一种稳定可靠的掺杂方式,已被半导体行业青睐多年,随着光伏行业离子注入设备的发展,应用离子注入的方法来制备IBC电池的优势逐渐显现出来。目前常用的离子注入通常为全面注入,图形化的形成仍然依靠外加掩膜层,比如厚的氧化硅或氮化硅介质膜或者光刻胶来阻挡部分区域的注入离子进入硅片内部;外加掩膜层增加了图形化的工艺过程,使流程复杂。因此需要设计一种掩模版,通过设置于离子注入机器内的该掩模版,可以直接在硅片上...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。