技术编号:12925348
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于IGBT晶体管或MOS管的驱动电路领域,尤其涉及一种解决驱动功率输出级存在严重发热现象的用于大功率高频率IGBT晶体管或MOS管的驱动电路。背景技术逆变电源中大功率器件驱动电路的设计一向是电源领域的关键技术之一。普通大功率三极管和绝缘栅功率器件(包括VMOS场效应管和IGBT绝缘栅双极性大功率管等),由于器件结构的不同,具体的驱动要求和技术也大不相同。前者属于电流控制器件,要求合适的电流波形来驱动;后者属于电场控制器件,要求一定的电压来驱动。本文只介绍后者的情况。为可靠驱动绝缘栅器...
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