技术编号：12937307
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料制备和光催化技术领域，具体涉及的是一种C3N4纳米线的制备方法。背景技术半导体光催化剂在过去的几十年中一直备受关注。因为其广泛应用于直接水解获得可再生能源氢和有机污染废水的环境保护。在众多的半导体中，TiO2由于其无毒、低成本、高稳定性和优良的光催化能力成为研究最多和最具有应用前景的半导体材料。但是，由于其能隙大(如锐钛矿型TiO23.2eV)，只能利用占太阳光3％～4％的紫外线(UV)部分，并且量子效率低，从而限制了TiO2的应用。因此，掺杂、金属沉积和复合材料的制备等方法被应用...
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