技术编号:12937423
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氧化物复合材料结构及生长技术领域,特别是涉及一种微纳网状结构In2O3/SnO2复合材料及其生长方法。背景技术纳米材料,具有高活性表面界面效应、带隙扩展的量子效应、异常边界小尺寸效应和宏观量子隧道效应等性能,在环境科学气体探测、污染治理方面备受青睐。其中,半导体金属氧化物纳米材料制成的气敏元件,会随气体敏感作用而发生电学参数变化或化学计量半导体化等特性,且具有轻便简洁快速的特点,在工业、生活及环境探测等方面具有广泛的应用研究前景。氧化锡(氧化锡)是一种宽禁带(Eg=3.6eV)半导体氧...
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