技术编号:12945148
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及电子技术领域,具体地,涉及一种电源管理电路。背景技术微波功率放大器件是现代无线通信系统的重要部件之一,其广泛地应用在雷达、卫星通信、电子军事以及导航等系统中。近年来,随着半导体技术的迅猛发展,采用第三代宽禁带半导体GaN材料制作的高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor,HEMT)逐渐成为微波功率放大器件的发展方向。由于GaN具有高击穿电压、较高电子迁移率等特点,使得GaN基高电子迁移率晶体管相比于第一代半导体材料和第二代半导体材料制作的晶体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。