技术编号:12965614
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种互补场效应晶体管及其制备方法和像素电路。背景技术互补场效应晶体管(CMOS)一般由一个N型场效应晶体管和一个P型场效应晶体管构成,其具有集成度高、功耗低等优势,是纳米集成电路中的首选结构。随着互补场效应晶体管的小尺寸化,互补场效应晶体管中的各电极的尺寸相应缩小。以栅极为例,当栅极的厚度减小后,栅极的电阻增大,栅极的导电率下降,从而影响互补场效应晶体管的整体性能。发明内容本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种互补场效应晶体管及其制备方法和像素...
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