技术编号:12965745
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及液晶显示领域,尤其是一种薄膜晶体管及制作方法、显示装置。背景技术氧化物薄膜晶体管(OxideThinFilmTransistor,简称OxideTFT)凭借其优良的电子迁移率,良好的a-SiTFT生产线兼容性和低温制造工艺,成为下一代面板显示行业的首选。近些年来,随着国内外研究单位的技术竞争日趋激烈,已经使OxideTFT工艺进入快速量产化的轨道上。在氧化物薄膜晶体管的背沟道刻蚀(BCE)结构中,背沟道区域的处理有着十分关键的作用,通常由于刻蚀对背沟道区域的损伤,常常导致TFT的有源层...
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