技术编号:13007909
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本发明涉及半导体制作领域技术,特别涉及一种半导体器件的形成方法。
背景技术
目前,在半导体器件的制造工艺中,P型金属氧化物半导体(PMOS,Ptype
MetalOxideSemiconductor)管、N型金属氧化物半导体(NMOS,NtypeMetal
OxideSemiconductor)管、或者由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型金属
氧化物半导体(CMOS,ComplementaryMetalOxideSemiconductor)管是构...
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