技术编号:13008119
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率器件技术领域,具体涉及一种具有复合介质层结构的结势垒肖特基二极管。背景技术GaN功率器件因能实现高功率、高频率、高线性度、高效率等特点吸引着其在功率器件应用领域的快速发展。相比于以硅为代表的第一代半导体材料而言,以氮化镓为代表的第三代半导体材料的禁带宽度更宽、临界击穿电场更高、熔点较高、电子迁移率更大、极限工作温度更高,这也意味着GaN功率器件可以工作在更高的工作温度、更高的击穿电压和更快的开关频率下。众所周知,整流器在功率应用领域占有重要地位,而器件的漏电和耐压能力会决定器件的安...
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