技术编号：13063281
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种硫化亚锡诱导生长金纳米颗粒的自组装方法，属于纳米材料制备领域。背景技术硫化亚锡是性能优良的P型半导体，在很多领域具有广泛的应用，可用作晶体管、传感器、太阳能电池、开关、电池电极等。不同于诸如石墨烯等零隙半导体的是，硫化亚锡有带隙，且为间接带隙，并且其带隙和原子层数有重要的联系，层数越薄带隙越大。也不同于过度金属二维材料如二硫化钼，硫化亚锡从块体到单层都是间接带隙。但目前硫化亚锡和金纳米颗粒的复合物制备方法还鲜有报道。金纳米颗粒的合成一般采用溶液化学还原的方法，如用乙二醇或是硼氢...
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