技术编号:13074512
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,具体涉及一种无机量子点发光二极管器件的制备方法。背景技术在平面型发光半导体器件中,各层之间的能极差很大,特别是电极和有机、无机界面之间的能极差,这导致电子和空穴很难注入到发光层,激子复合效率较低。由于器件的界面势垒较大,电子从氧化铟锡(ITO)注入到电子传输层、从电子传输层注入到发光层更困难,这使得器件的工作电压很大,效率很低。因此,在器件的制备过程中常常需要通过在电子传输层和电极之间使用界面修饰层降低电子注入势垒,平衡电子和空穴,从而实现低电压、高效率、长寿命器件的制...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。