技术编号:13080558
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体存储装置相关申请案的交叉参考本申请案基于并主张2015年3月9日提出申请的先前美国临时申请案第62/130,484号的优先权权益,所述先前美国专利申请案的全部内容以引用方式并入本文中。技术领域本发明的实施例涉及一种半导体存储装置。背景技术MRAM(磁阻式随机存取存储器)为使用具有磁阻效应的磁性元件作为存储器单元的存储器装置,所述存储器单元存储信息且作为由高速操作、大容量及非易失性表征的下一代存储器装置一直都吸引注意力。此外,已进行研究及开发以使MRAM能够替换例如DRAM及SRAM的易失性...
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