技术编号:13080567
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。平衡3D堆叠存储器中的存储器单元的编程速度背景技术本技术涉及存储器器件的操作。近来,已经提出使用三维(3D)堆叠存储器结构的超高密度存储器件。3D存储器结构的一个示例是位成本可扩展(BitCostScalable,BiCS)架构,其包括交替导电层和电介质层的堆叠体。在堆叠体中形成存储器孔,然后通过用包含电荷捕获层的材料填充存储器孔来形成NAND串。直的NAND串在一个存储器孔中延伸,而管状或U形的NAND串(P-BiCS)包括在两个存储器孔中延伸并由底部背栅接合的存储器单元的垂直列对。存储器单元...
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