技术编号：13083205
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及集成电路存储器领域，更确切地说，涉及三维存储器（3D-M）。背景技术三维存储器（3D-M）是一种单体（monolithic）半导体存储器，它含有多个相互堆叠的存储元（也被称为存储器件）。3D-M包括三维只读存储器（3D-ROM）和三维随机读取存储器（3D-RAM）。3D-ROM可以进一步划分为三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM）和三维电编程只读存储器（3D-EPROM）。基于其编程机制，3D-M可以含有memristor、resistiverandom-accessmem...
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