技术编号：13091303
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种外延生长设备。背景技术现有技术里，在半导体器件制造技术中，外延生长设备广泛地被采用，例如在晶圆的表面通过外延生长形成外延层。通过外延生长的外延层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的单晶层或多层单晶结构，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。在外延生长设备中，外延生长是通过将反应气体引入到晶圆上，执行加热以获得预定的温度，从而形成外延层。在外延生长的过程中，晶圆需要在高达1000℃以上的高温环境下。因此，外延生长设备具有...
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