技术编号：13091536
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纸基二维三氧化钨纳米片的制备方法，属于纳米材料合成领域。背景技术三氧化钨，是一种n型半导体材料，带隙为~2.6eV，一般为正交八面体结构，广泛应用于光电器件、电致变色和光致电化学免疫分析传感等领域。众所周知，材料的性能与其形貌、尺寸密切相关。二维纳米材料，通常是指在三维空间中，有一维是在纳米尺度范围（0.1~100nm）的材料，其制备、研究与应用越来越受到科研工作者们的关注。其中，纳米材料具有的独特界面效应、小尺寸效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应，在二维纳米材料上都具有很好的体...
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